小编7 月 22 日消息，据韩联社报道，有消息人士称，由于全球经济的不确定性越来越严重，全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士暂停了韩国工厂扩建计划。
消息人士表示，在 SK 海力士上个月 29 日召开的董事会上，决定无限期推迟扩建计划。SK 海力士作出该决定主要是因为在经济前景高度不确定的情况下，公司将对大规模投资采取更加谨慎的态度。
对此，SK 海力士表示：“对于工厂扩建计划，公司还没有作出决定”。
此前，SK 海力士计划投资 4.3 万亿韩元（约人民币 223.6 亿元）在首尔以南的城市清州增加一个新的 M17 芯片厂，工厂原计划明年年初破土动工，2025 年完工，并且将量产 NAND 尖端存储器。
据设备和材料供应商透露，SK 海力士推迟该工厂的主要原因预计为存储器库存过多、原材料价格上涨和美元升值导致生产设备引进成本上升、半导体制造设备的价格上涨。
目前，清州已经有 M11、M12 和 M15 三座工厂，SK 海力士在清州工厂量产存储用半导体“NAND 型闪存”。
研究公司 TrendForce 表示，俄乌战争和高通胀让用户消费电子产品的需求降低，这导致整个行业 DRAM 库存增加。TrendForce 称，这也是他们预计第三季度 DRAM 价格下降 3-8% 的主要原因。
首尔汉阳大学的电子工程教授 Park Jae-gun 表示，在这个不确定的时代，延期是一个明智的商业决定。由于 SK 海力士已经计划投资 120 万亿韩元（约人民币 6240 亿元）在龙仁市建立四家工厂，因此再在清州建立工厂过于紧迫。如果龙仁市工厂在 2027 年 4 月成功建成并投入运营，那么清州工厂的压力将会降低。另外，Park 认为企业最好有一些现金储备。
小编了解到，此前有消息称，受终端产品需求低于预期影响，SK 海力士考虑将 2023 年的资本支出削减约 25%，将至 16 万亿韩元（约人民币 832 亿元）。
未来半导体 - 7月22日重要芯闻
# 中国 汽车 动力电池产业创新联盟：预计2022年我国新能源 汽车 产量达526.7万辆 同比增71.7%
在2022世界动力电池大会上，中国 汽车 动力电池产业创新联盟理事长董扬预计，2022年我国新能源 汽车 产业规模将继续保持增长态势，产量规模预测合计将达到562.7万辆，同比增长约71.7%；新能源乘用车约535.7万辆（纯电乘用车429.44万辆、插电混动乘用车106.26万辆），同比增长约75.3%；商用车产量为26.98万辆，同比增长约21.5%。
# MIT研究人员发现了一种性能比硅更好的半导体材料
硅是地球上最丰富的元素之一，其纯净形式已成为许多现代技术的基础，从太阳能电池到计算机芯片,但硅作为半导体的特性远非理想。现在，来自 MIT、休斯顿大学和其他机构的一组研究人员发现了一种称为立方砷化硼的材料，这种材料可以克服硅的上述两个限制。其为电子和电洞提供了高迁移率，并具有优良的热导率。研究人员表示，这是迄今为止发现最好的半导体材料，在将来也可能说是最好的材料。
# 应对模拟混合信号市场，西门子推出 Symphony Pro验证平台
在日前的第59届设计自动化会议 (DAC) 上，西门子 EDA 推出了其下一代混合信号 IC 验证工具 Symphony Pro。Siemens EDA 混合信号业务部门首席产品经理 Sumit Vishwakarma 接受了一些媒体的采访，并解读关于验证及其他一些内容。
# 三星斥资2000亿美元新建11家芯片厂
据媒体报道，韩国半导体巨头三星电子提出在美国得克萨斯州大规模建设半导体制造设施的计划。三星在向得州提交的一系列文件中，提出了投资近2000亿美元建设11家工厂的潜在计划。其中，两个工厂将建在得州首府奥斯汀，九个将在泰勒。此前，三星已经公布了在泰勒投资170亿美元建立一个先进半导体生产基地的计划。不过，三星并没有承诺一定会建造这些新生产基地，而是强调，这一“假设性提案”可能会在各种情况下出现变动。而且，即使三星确定投资并推进这一计划，首个新建的工厂也要到2034年左右才会开始运营。
# IQE控诉高塔半导体盗用商业机密及技术专利
# 三星电子寻求得州潜在芯片工厂税收优惠
据路透社报道，三星电子向美国得州当局提交的文件显示，该公司已开始为其在得州的11家潜在芯片工厂申请税收减免，投资总额约为1920亿美元。三星电子已在得州拥有一座芯片工厂，并正在建造一座新工厂。上述文件首次公开估计了拟议中的新投资的潜在价值，显示每家工厂将耗资120亿至230亿美元，并创造900个或更多就业机会。
# 摩根士丹利：需求疲软，预计联发科第三季度营收下降超 8%
7 月 22 日消息，摩根士丹利（Morgan Stanley）报告称，由于中国大陆智能手机市场萎缩，联发科第三季度需求疲软，预计其营收将会下降。摩根士丹利表示，虽然中国工信部 6 月份数据显示手机出货年增率转正，但预计中国大陆智能手机全年出货量仍将下滑 10%-15%。由于 618 期间手机销售量不如预期，因此下半年智能手机供应链将减少库存。在此情况下，预计联发科今年第三季度营收将减少 8%-12%，毛利率降低为 48%-50%。
# 消息称英特尔部分 FPGA 芯片产品涨价，最高达 20%
近日，一份英特尔 PSG 业务线产品致客户函件在业界流传。该份通知函显示，因供应链成本压力和持续的旺盛需求，英特尔拟调涨部分 FPGA 产品价格，涉及 Arria 、MAX 、Stratix 、Cyclone 等产品线，其中较旧料号涨价幅度为 20%，较新料号涨价 10%。
# SK 海力士否认无限期推迟韩国工厂扩建：还没有作出决定
据韩联社报道，有消息人士称，由于全球经济的不确定性越来越严重，全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士暂停了韩国工厂扩建计划。消息人士表示，在 SK 海力士上个月 29 日召开的董事会上，决定无限期推迟扩建计划。SK 海力士作出该决定主要是因为在经济前景高度不确定的情况下，公司将对大规模投资采取更加谨慎的态度。
# 长沙盈芯半导体 科技 公司完成数亿元A轮融资
近日，长沙盈芯半导体 科技 有限公司宣布完成数亿元人民币A轮融资，本轮融资由深圳速源控股、长沙麓谷投资、民航股权投资基金、蒲公英私募基金、国融大量私募基金共同完成。本轮融资资金主要用于芯片研发、人才建设、市场推广、产业布局等体系完善。
# 川环 科技 ：拟参与设立合资公司 涉足储能及半导体行业等领域新材料产品
川环 科技 7月22日晚公告称，公司拟与文琦超、文建树、唐宏3名自然人股东共同投资设立合资公司川环德尚，旨在为新能源(储能)及半导体行业等领域提供新材料解决方案及终端产品与服务，打造新的盈利增长点，不断提升公司的核心竞争力与盈利能力。文琦超及文建树为公司的控股股东、实际控制人，本次共同投资设立合资公司的事项构成关联交易。
# 韦尔股份投资成立半导体 科技 公司 注册资本1亿元
企查查APP显示，近日，天津极创豪芯半导体 科技 有限公司成立，法定代表人为陈可卿，注册资本1亿元，经营范围包含：集成电路芯片设计及服务；集成电路销售；软件开发等。企查查股权穿透显示，该公司由韦尔股份等间接共同持股。
# 浙江大学发布“天目 1 号”超导量子芯片系列应用成果
# 射频芯片厂商国博电子成功登陆科创板
7 月 22 日，国博电子在上海证券交易所科创板上市，据了解，国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。在高密度集成领域，公司基于设计、工艺和测试三大平台，开发了 T / R 组件、射频模块等产品；在射频芯片领域，公司基于核心技术开发了射频放大类芯片、射频控制类芯片等产品。
# 近 5 年全球元宇宙专利申请超过 2000 件，微软三星均已过百
西班牙一家咨询公司的数据就显示，在过去的 5 年里，全球所申请的元宇宙相关专利翻番，超过了 2000 件，微软和三星目前所拥有的元宇宙相关的专利，分别已有 158 件、122 件，是元宇宙相关技术专利第 1 和第 2 多的公司。宇宙相关专利在数量上仅次于微软和三星的，是在 2015 年凭借一段“鲸鱼跃出篮球场地面”的视频而大火的 Magic Leap，之后的则分别是 IBM、迪士尼、Meta、Adobe、Verizon、英特尔和 Snap。
# 宁德时代 M3P 电池明年将推向市场，能量密度高于磷酸铁锂、成本优于三元电池
据财联社报道，宁德时代首席科学家吴凯今日在世界动力电池大会上表示，公司 M3P 电池已经量产，明年将推向市场运用。M3P 电池是宁德时代基于新型材料体系研发的电池，其能量密度高于磷酸铁锂，成本优于三元电池。
# 初创公司与 SpaceX“抢饭碗”，将于 2024 年发射火星探测器
7 月 22 日上午消息，据国外媒体报道，太空初创企业 Relativity Space 从未发射过火箭，太空运输企业 Impulse Space 也从未在太空中测试过任何推进器，尽管如此，7 月 19 日，这两家位于美国加州的太空公司宣称，将联手启动一项雄心勃勃的太空任务，预计不到 3 年的时间内登陆火星表面。
# 福特：将从宁德时代采购成本更低的磷酸铁锂电池来追赶特斯拉
福特 汽车 周四表示，将从中国电池巨头宁德时代（CATL）进口成本较低的锂铁电池，用于其北美电动皮卡和 SUV。目前福特正在与 CATL 建立更进一步的联盟，并达成一系列单独协议，以确保未来 10 年的电池和电池材料安全。对此，宁德时代证券事务代表表示，宁德为福特全球供应电池，宁德时代并不造车，而双方的合作锁定的电池体系是磷酸铁锂。
# NASA 将于 9 月下旬借 SpaceX 龙飞船去往国际空间站，包括日本、俄罗斯宇航员
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。
该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。
这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。
由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。
据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。
外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。
据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。
官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。
此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。
SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产37月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。
美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。
韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。
据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。
SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。
层数越高越好
NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。
不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。
美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。
而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。
200层的野心
目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。
早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。
今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。
参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。
现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。
而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。
韩企欲在中国设厂被韩政府叫停是因为什么？
韩企欲在中国设厂被韩政府叫停 因担心"技术泄露"。
今年已经进入第四季度，为韩国LG Display公司供应OLED(有机发光二极管)电路板生产设备的某中坚企业，却还没有制定出明年的生产计划。韩国《中央日报》9日报道称，这是因为韩国产业通商资源部叫停LG Display公司在中国广州进行设备投资活动，对该公司起到了决定性影响。
据报道，该公司原计划向LG Display公司提供总价值达700亿韩元(约合4.05亿人民币)的广州工厂生产设备，这一数额超过公司总销售额的六分之一。该公司的营业部部长金甲秀(化名)表示:“LG Display公司在中国设厂的计划若流产，不仅会损失数百亿的销售额，扩招130余名新员工的计划也将搁浅。”
在华设厂若流产 韩企将失4万亿韩元收益机会
韩国产业部最近对LG Display公司在中国广州设立工厂表现出否定态度后，不仅LG Display公司，中小企业供货商也普遍感到紧张。报道称，一旦LG Display公司进军中国的计划告吹，韩国国内中小供货商至少将失去4万亿韩元以上的收益机会。
据了解，LG Display公司计划从明年到2020年间，投入5万亿韩元为成立广州工厂，采购必要的设备和零部件，其中4万亿韩元左右的订单都会流入韩国国内供货商手中。此外，2020年工厂竣工后，每年还会有1万亿韩元左右的设施维护管理收益。然而，一旦在中国建厂的计划告吹，LG Display公司的全新投资计划搁浅，这些收益机会也将随之消失。
显示器生产设备行业的相关人士介绍称，“LG Display公司70%以上的生产设备都由韩国国内的中小企业供货”，“大企业在中国设立工厂，韩国国内的中小企业也会跟着沾光受益” 。
韩政府担心在华设厂“技术泄露”
报道称，韩国产业部反对LG Display公司在华设厂的公开原因是担心“技术泄露”。据了解，在半导体、OLED等韩国国家核心技术领域，公司在国外建设生产工厂需要向产业部部长申报并获得许可。因此，韩国产业部掌握着LG Display公司进军中国市场的关键钥匙。而产业部认为，LG Display公司计划设立的广州工厂以该公司与广州地方政府合作的方式经营，很容易导致LG Display公司的技术泄露到中国。
韩国产业部事务官员李民浩(音)表示：“为了深入探讨LG Display公司进军中国一事，我们首次成立了由显示器专家组成的小委员会。”
韩国业界：不打算接受韩政府主张
不过，业界并不打算接受韩国政府的这一主张。一位不愿透露姓名的业界相关人士说，“此前负责审查技术泄露问题的产业部下属电气与电子专业委员会，都会在企业申报后45天内通报审查结果”，“而这次企业早在7月末就提交了申请，产业部却到现在才宣布成立小委员会进行审查，主要反映了本届政府不赞同大企业向海外进军的态度”。另一位相关人士表示：“新政府将创造就业岗位视为第一要务，因此倾向于无条件限制一切可能减少就业岗位的企业活动。”
韩国市场：发生技术泄露可能性不大
报道称，韩国市场认为，即使LG Display与中国广州地方政府合作在华设立工厂，发生技术泄露的可能性也不大。因为工厂虽然名义上为双方合作，但广州地方政府的持股比例只有30%，中国人也不会参与经营活动。Hi投资证券公司的研究员郑元锡说“三星电子和SK海力士早就在中国设立了存储芯片工厂，但中国半导体企业的技术实力还是远不如韩国”，“在中国设立工厂并不意味着技术就一定会泄露”。
LG Display公司：时间拖越久顾客流失越多
LG Display公司表示，就制造大型电视机OLED显示器来说，除了在中国设立工厂，别无其它可能。即便政府不允许公司在中国设厂，公司也不可能转而在韩国国内设立工厂。LG Display公司的相关人士说“韩国坡州工厂已经没有多余的地皮可以用来扩建生产设施，若要物色新的地皮建设新厂，大约需要5-10年时间”，“电视机OLED面板一般需要提前6个月-1年左右下单生产，时间拖得越久，顾客流失就越多，连现在的客户也有可能流失”。
韩国专家们也普遍认为，政府应考虑到显示器产业对上下游产业链波及巨大的行业特征，迅速作出决断。首尔大学电气电子工学系教授李昌熙(音)说：“OLED技术作为国家核心技术，固然需要严格管理，防止技术泄露，但也要考虑到该产业对上下游产业链的巨大影响，不能一味推迟发布审查结果。”
