代表的是基区体电阻。
基区体电阻、发射结电阻、发射区体电阻这三部分组成be间电阻，由于基区很薄而且多子浓度很低，其数值较大。
基区体电阻是指双极型晶体管在发射区的正下方、与结面平行的电阻，因为基极电流IB在发射区下方是不均匀横向流动，故这部分基区的电阻是扩展的电阻。
模拟电子技术基础 rbb'什么意思
看你所用的书的第129页，表达式（4.3.7a），rbb'
和re
是三极管器件生产出来后自带的属性。一般题目中不给，书上都默认为是200ω，用这个值不会错。有的题目会给出，比如：131页，例4.3.2
在放大电路中,rbb′ 表示什么
rbb′：三极管基区体电阻.低频小功率管约为200欧左右.如同某个电感的直流电阻,是个常数,以下链接有详细说明.
三极管有些参数的理解涉及半导体物理的基础理论,如：rbe=rbb′+UT/Ibq=200+26mv/Ibq,其中的26mv我们记住就行,不一定要深究它的来历.
模电中晶体管放大电路中求静态工作点解释前两个方程，rbb’，是什么？
这种书就不要看了，误人子弟。书中第一个公式实际上是印刷错误，减号印成了等号。
求解静态工作点时，信号源Us是电压源，应视为短路。这时，电流通过Rb流下来，分别提供给基极和Rs。这里近似的视三极管BE结的导通压降是0.7V，那么Rs两端是0.7V，流过的电流就是0.7/3=0.23mA。而流过Rb的电流是（15-0.7）/56=0.25mA。所以流过Rb的电流减去流过Rs的电流就是流过基极的电流Ib。所以Ib=0.022mA，即22uA。
第二个公式就简单了，三极管是开环，无反馈，集电极电流=β基极电流。
Rbb'是基区体电阻，想深研究就去看半导体物理，或者模电书前几章也有简单介绍。
rbb'怎么求rbe
rbe=rbb'+26mV / Ib(mA)=rbb'+β(26mV) / Ic(mA)，ri=rbe+β(R7∥R8）。
rbb'是基区体电阻，rbe是算上rbb'加上发射结电阻折算到基区的电阻的，注意rb'e和rbe的不同，三极管放大电路在低频和高频的分析中使用的是不同的模型，高频中使用的是混π参数，受控源受vb'e的控制，讲体电阻和结电阻分开有利于分析。
我们很早学的低频电子线路中说：工程估算一般取300欧。因为这个值一般变化不大，因为IB电流很小，而不像IE电流那么大，半导体的曲线上的点变了，呈现的阻值不一样。RBB的这个点基本上不变。
三极管共射放大电路中rbb'是什么?
三极管EM2模型中，基极内部等效电阻，是100欧左右，具体值在三极管的器件手册中会给出。
等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后，未被代替的部分电压和电流均不发生变化，也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外的电路。
微变等效电路的特点：
1、微变等效电路的对象只对变化量。因此，NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。
2、微变等效电路是在正确的Q点上得到的，如Q点设置错误，即Q点选在饱和区或截止区时，等效电路无意义。
3、不能用微变等效电路求静态工作点。④ 微变等效电路中的电压和电流全部用交流量的有效值表示， 电压和电流的方向按网络的定义方向，不要随意改变。
扩展资料：
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料来源：百度百科-三极管
参考资料来源：百度百科-等效电路
