【本站】3月13日消息，近日，据韩国半导体业界消息，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人在一次会议上表示，他们将会加速推进3D DRAM商业化，以克服DRAM的物理局限性。他们认为，3D DRAM是半导体产业的未来增长动力。
目前，全球的DRAM巨头们都在推进3D DRAM的商业化进程，但远不及美光公司。据悉，自2019年开始研究3D DRAM的美光公司已经获得了两家韩国公司的两到三倍的专利数量。
在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上，三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示，制造10nm或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战，3D DRAM是克服这种挑战的方法。
而负责SK海力士未来技术研究所的副总经理车善龙也表示，他们将于明年公开3D DRAM的电子特性细节，以确定开发方向。
相比现有的DRAM市场，目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。据了解，随着人工智能应用产品的活跃，对高性能、大容量存储半导体的需求也在不断增加。
据本站了解，三星电子和SK海力士今年实现量产的高端DRAM线宽为12纳米。业界认为，考虑到目前DRAM线宽微缩至1纳米将面临的情况，新型DRAM商品化在3到4年后将会是一种必然，而不是一种方向。
可以预见，随着三星电子和SK海力士开始加速3D DRAM技术的商用化，未来将会有更多厂商推出类似的技术方案和产品，市场竞争将会更加激烈。
芯片三巨头为何突遭中方反垄断调查？
5月31日，中国的反垄断机构突然前往三星电子、SK海力士、美国美光在中国的分支机构办公室展开调查。 中国政府怀疑在过去两年间存储芯片（DRAM）的价格暴涨1倍以上的原因是这三家企业恶意利用供给不足违法进行捆绑销售。一旦嫌疑被确认，这三家企业将面临中国政府8亿至80亿美元的罚款。
今年4月，一起美国消费者起诉三星电子、SK 海力士、美国美光等厂商人为操控零售价格，诉讼人表示上述三家公司的行动导致DRAM芯片价格在2016年7月1日至2018年2月1日内上涨130%。DRAM价格现在依然在持续“高空飞行”。4GB DRAM的价格从2016年6月的1.31美元上涨至今年4月的3.94美元，增长3倍左右。据推测，下半年DRAM的价格还将持续上涨。
中国电信行业专家马继华表示，DRAM价格在去年经历的暴涨已超出正常的市场定价范畴。这直接导致手机厂商利润下降，部分企业经营困难，小企业退出市场，也促进了手机产业进一步集中化。另一方面，芯片涨价也限制了手机行业的产能。
中企对三巨头依赖度高
韩国媒体报道称，遭调查的3家公司的半导体芯片业务2017年在中国营收依次为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。
分析认为，中国对三星等世界三大存储芯片企业展开反垄断调查，与推进中国“半导体崛起”不无关系。最近中国华为、小米等厂商通过包括智能手机在内的各种电子产品成功抢占国际市场，但由此进口的半导体芯片也呈现“滚雪球式”的增长。去年中国在该领域的贸易赤字高达1900亿美元，而三星电子一家就在中国创下253亿美元的半导体芯片销售额，中国市场份额高达46%。
由于DRAM价格的暴涨与供给不足，中国智能手机等信息技术企业正在面临困境。报道称，中国企业对这三家企业的依赖度很高。除华为、小米、OPPO、vivo等智能手机企业及联想等电脑企业之外，连阿里巴巴、腾讯、百度这样的互联网企业也为构筑数据中心而大量使用芯片。仅去年从韩国进口的该类产品就超过42万亿韩元（约合2500亿元人民币）。
来源：环球时报
HBM内存这个HBM是啥意思？
HBM内存，全名叫高带宽存储器（High Bandwidth Memory，缩写HBM）。
HBM内存是三星电子、SK海力士、AMD共同提出的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。首款使用高带宽存储器的设备是AMD Radeon Fury系列显示核心。
目前使用HBM内存的主要是高性能显卡、计算卡、高性能计算机等设备。
部分内容来源于：wikipedia
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