2月22日消息，博主数码闲聊站爆料，高通年底要发布的骁龙8 Gen3仍然由台积电代工，使用台积电N4P工艺。爆料人Kartikey Singh也表示，高通短期内不会回到三星怀抱，骁龙8 Gen3这次无缘三星3nm工艺。
据悉，台积电N4P工艺相比最初的N5工艺可提升11%的性能，或者提升22％的能效、6％的晶体管密度，对比N4可将性能提升6.6％。
与此同时，N4P工艺和此前N4工艺一样，提供了更多的PPA(功率、性能、面积)优势，但保持了相同的设计规则、设计基础设施、SPICE模拟程序和IP。而且在N4P工艺上，台积电通过减少掩模数量，以降低工艺的复杂性，缩短了周期，能加快晶圆生产速度。
至于高通为何不直接上马台积电3nm，业内人士分析，相较3nm，以5nm制程为基础改良的4nm制程技术相对稳定，同时也因为制程技术相对成熟，使得生产成本相对可控，因此若以此制程生产高通下一款处理器，较为保险。
但总体来看，4nm属于过渡性制程工艺，3nm才是5nm后的主要节点，苹果今年下半年要发布的A17芯片、M3芯片等都有可能会使用台积电3nm工艺。
骁龙8+是台积电还是三星
骁龙8+是台积电的 2022年5月20日，在高通“骁龙之夜”活动发布会上，全新一代的骁龙8+芯片正式发布。这枚芯片和之前的都有所不同，因为已经不再是三星代工了，采用的是台积电4纳米工艺，进一步说，骁龙8+的面世，意味着高通时隔两年重新和台积电携手合作。 那么，这枚台积电代工的骁龙8+究竟怎样呢？会不会延续三星的问题呢？经过实践的证明，其实并不会。在这次的活动发布会上，高通公开表示，骁龙8+芯片依然和骁龙8保持不变，CPU和GPU的性能都提升了10%。 当然，可能大多数人更关心的还是高通骁龙8+会不会是一条全新的火龙，其实不会，按照高通的说法，CPU和GPU的功耗降低了差不多30%，看样子，这枚芯片的热度应该也会有所下降。 纵使说得天花乱坠，也不及实际情况有说服力。因此，高通也展示了骁龙8+在热门手游中的表现，在《原神》最高画质畅玩一小时的情况下，骁龙8+的帧数表现始终非常平稳，在《王者荣耀》中90帧加上极致画和120帧加上高清画质的情况下，这枚芯片的功耗比骁龙8有30%左右的降低。看来，如今这枚骁龙8+和之前相比，确实凉下来了。
三星首批3nm芯片将于下周展示发货
三星首批3nm芯片将于下周展示发货
三星首批3nm芯片将于下周展示发货，三星计划在2022年7月25日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，首个客户是上海磐矽半导体，三星首批3nm芯片将于下周展示发货。
三星首批3nm芯片将于下周展示发货1三星将于下周展示全球首款3nm半导体芯片。该公司于6月30日开始大规模生产先进的半导体。据报道，该公司已安排在7月25日星期一举行启动仪式。
三星的3nm芯片基于Gate-All-Around(GAA)晶体管架构。它是一种新的芯片架构，与当前解决方案采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构相比，性能和功率得到了改进。它还允许更小的处理器占用空间。
这家韩国公司正在向一家生产虚拟货币挖掘处理器的中国公司提供其3nm解决方案的初始生产运行。但是，由于与之相关的行业的性质，该公司并未将其视为长期客户。三星将寻求加入一些值得信赖的客户，例如智能手机制造商。
据报道，它正在努力应对其3nm芯片的良率。该公司生产的大多数先进芯片都不符合要求的质量。这家韩国巨头现在正在努力提高良率（据说80%到90%是理想的），同时改进其芯片技术。计划明年初开始生产第二代3nm解决方案。这些可能适用于智能手机。
台积电在代工制造领域历来领先三星，准备在今年晚些时候开始3nm量产。但该公司将继续使用FinFET架构再发展一代。预计在2025年转向使用2nm芯片的GAAFET。
然而，台积电的芯片技术历来优于三星。它的解决方案能提供更好的整体性能，并且比韩国公司的竞争解决方案更节能。台积电的芯片在热管理方面也做得非常好。因此，三星希望缩小与主要竞争对手的差距。
三星首批3nm芯片将于下周展示发货2三星官方在上个月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
据Business Korea报道，三星计划在2022年7月25日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，三星设备解决方案部分负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳都会出席。据了解，首个客户是上海磐矽半导体，这批芯片将用于虚拟货币业务。
有消息指出，三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不过前一段有报道称，其表现不达预期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列。高通在即将发布的Snapdragon 8 Gen2上选择了台积电的4nm工艺，如无意外并不会出现三星制造的版本。
三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。
三星首批3nm芯片将于下周展示发货3在几周前宣布开启 3nm 环栅晶体管芯片生产后，这家韩国电子科技巨头又将于下周展示首款 GAA 芯片。与当前 5nm 工艺相比，3nm GAA 可在收缩尺寸的同时，带来更低的功耗和更高的性能，未来的 Galaxy S 等旗舰设备有望获益于此。同时竞争对手台积电也于本月开启了 3nm FinFET 生产，但 GAA 芯片要到 2025 年推出。
目前尚不清楚三星 3nm GAA 会从台积电那边挖来多少客户，但从纸面参数来看，其较 5nm 工艺的升级迭代还是相当亮眼的`。
对于移动设备来说，环栅晶体管将带来能效的显著提升和尺寸缩进，从而延长电池的续航。
此外 GAA 的设计灵活性，意味其非常有利于设计技术协同优化（DTCO），以及提升功耗、性能和面积（PPA）优势。
具体说来是，初代 3nm 工艺比 5nm 节能高达 45%，提升 23% 性能、并减少 16% 的芯片面积。
而二代 3nm 工艺有望降低 50% 功耗，性能提升 30%、并缩减 35% 的芯片面积。
三星仍在努力提升其 3nm 芯片的产能以实现盈利
即便如此，三星仍面临着台积电的直接挑战。当前苹果 iPhone、iPad、Mac 设备上使用的所有 A / M 系列芯片，都是交给 TSMC 代工的。
更尴尬的是，即使 2022 下半年被诸多 Android 旗舰智能机提供支撑的高通骁龙 8 Gen 1 升级款（Snapdragon 8+ Gen 1），也从三星换成了台积电代工。
据悉，三星原本计划在 Galaxy S22 上采用自研旗舰芯片，但可惜遇到了过热的问题，最终只能节流以缓和性能体验。
至于未来是否还有基于 3nm GAA 环栅晶体管技术的新规划，目前暂不得而知。
最后，来自韩国的一份报告称，三星已安排于 7 月 25 日举办首款 3nm 芯片的发布仪式。
然而首个买家却是一家虚拟货币挖矿企业，这类客户显然难以帮助三星从台积电那里抢来更多业务。
三星全球首批3nm芯片将于下周展示
三星全球首批3nm芯片将于下周展示
三星全球首批3nm芯片将于下周展示，与当前 5nm 工艺相比，3nm GAA 可在收缩尺寸的同时，带来更低的功耗和更高的性能，三星全球首批3nm芯片将于下周展示。
三星全球首批3nm芯片将于下周展示1三星官方在上个月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
据Business Korea报道，三星计划在2022年7月5日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，三星设备解决方案部分负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳都会出席。据了解，首个客户是上海磐矽半导体，这批芯片将用于虚拟货币业务。
有消息指出，三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不过前一段有报道称，其表现不达预期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列。高通在即将发布的Snapdragon 8 Gen2上选择了台积电的'4nm工艺，如无意外并不会出现三星制造的版本。
三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。
三星全球首批3nm芯片将于下周展示2在几周前宣布开启 3nm 环栅晶体管芯片生产后，这家韩国电子科技巨头又将于下周展示首款 GAA 芯片。与当前 5nm 工艺相比，3nm GAA 可在收缩尺寸的同时，带来更低的功耗和更高的性能，未来的 Galaxy S 等旗舰设备有望获益于此。同时竞争对手台积电也于本月开启了 3nm FinFET 生产，但 GAA 芯片要到 2025 年推出。
目前尚不清楚三星 3nm GAA 会从台积电那边挖来多少客户，但从纸面参数来看，其较 5nm 工艺的升级迭代还是相当亮眼的。
对于移动设备来说，环栅晶体管将带来能效的显著提升和尺寸缩进，从而延长电池的续航。
此外 GAA 的设计灵活性，意味其非常有利于设计技术协同优化（DTCO），以及提升功耗、性能和面积（PPA）优势。
具体说来是，初代 3nm 工艺比 5nm 节能高达 45%，提升 23% 性能、并减少 16% 的芯片面积。
而二代 3nm 工艺有望降低 50% 功耗，性能提升 30%、并缩减 35% 的芯片面积。
三星仍在努力提升其 3nm 芯片的产能以实现盈利
即便如此，三星仍面临着台积电的直接挑战。当前苹果 iPhone、iPad、Mac 设备上使用的所有 A / M 系列芯片，都是交给 TSMC 代工的。
更尴尬的是，即使 2022 下半年被诸多 Android 旗舰智能机提供支撑的高通骁龙 8 Gen 1 升级款（Snapdragon 8+ Gen 1），也从三星换成了台积电代工。
据悉，三星原本计划在 Galaxy S22 上采用自研旗舰芯片，但可惜遇到了过热的问题，最终只能节流以缓和性能体验。
至于未来是否还有基于 3nm GAA 环栅晶体管技术的新规划，目前暂不得而知。
最后，来自韩国的一份报告称，三星已安排于 7 月 25 日举办首款 3nm 芯片的发布仪式。
然而首个买家却是一家虚拟货币挖矿企业，这类客户显然难以帮助三星从台积电那里抢来更多业务。
三星全球首批3nm芯片将于下周展示3三星将于下周展示全球首款3nm半导体芯片。该公司于6月30日开始大规模生产先进的半导体。据报道，该公司已安排在7月25日星期一举行启动仪式。
三星的3nm芯片基于Gate-All-Around(GAA)晶体管架构。它是一种新的芯片架构，与当前解决方案采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构相比，性能和功率得到了改进。它还允许更小的处理器占用空间。
这家韩国公司正在向一家生产虚拟货币挖掘处理器的中国公司提供其3nm解决方案的初始生产运行。但是，由于与之相关的行业的性质，该公司并未将其视为长期客户。三星将寻求加入一些值得信赖的客户，例如智能手机制造商。
据报道，它正在努力应对其3nm芯片的良率。该公司生产的大多数先进芯片都不符合要求的质量。这家韩国巨头现在正在努力提高良率（据说80%到90%是理想的），同时改进其芯片技术。计划明年初开始生产第二代3nm解决方案。这些可能适用于智能手机。
台积电在代工制造领域历来领先三星，准备在今年晚些时候开始3nm量产。但该公司将继续使用FinFET架构再发展一代。预计在2025年转向使用2nm芯片的GAAFET。
然而，台积电的芯片技术历来优于三星。它的解决方案能提供更好的整体性能，并且比韩国公司的竞争解决方案更节能。台积电的芯片在热管理方面也做得非常好。因此，三星希望缩小与主要竞争对手的差距。
