美光公司近日宣布，其面向数据中心的DDR5服务器内存产品已在第四代英特尔至强可扩展处理器系列中完成验证。美光表示，通过与联想合作，美光DDR5与第四代英特尔至强8480H铂金处理器组合，对比美光DDR4与第三代英特尔至强8380铂金处理器组合，可将SAP工作负载的处理量提高43%。
美光数据显示，SPECjbb在关键jOPS(每秒Java运行次数)的基准测试中，性能比前代产品提升了近49%。此外，美光DDR5所提供的内存带宽相比前几代产品实现了翻番，升级到DDR5将带来更高的带宽，有助于充分释放每台处理器的计算能力，从而缓解其未来几年可能面临的性能瓶颈。
据ITBEAR了解，美光DDR5内存还设有片上纠错码(ODECC)和有限故障等功能，可提升整个数据中心的可靠性。ODECC功能可纠正单比特错误并检测多比特错误。这些功能使得美光DDR5成为数据中心领域中性能卓越，可靠性高的内存产品。
美光的DDR5内存的验证是数据中心领域内存技术发展的重要一步。DDR5提供了更高的带宽和性能，有助于缓解未来可能面临的性能瓶颈。同时，美光DDR5的片上纠错码和有限故障功能进一步提升了整个数据中心的可靠性。随着数据中心规模的扩大和计算需求的增加，DDR5内存的应用将会越来越广泛。美光的DDR5内存将为数据中心提供更高的性能和可靠性，推动数据中心业务的发展。
1Z了45？
就在当前CES 2020 热闹举行的当下，包括AMD与英特尔两家处理器大厂都将在会场中发表全新一代的处理器，虽然这些处理器预估还是会支持DDR4 记忆体，但是面对传输量越来越大，必须拥有越来越快传输速度记忆体的当下，下一代DDR5 记忆体也已经开始准备量产。根据外电报导，美商记忆体大厂美光(Micron) 于7 日正式宣布，将开始向客户出样最新的DDR5 记忆体，以第3 代的10 纳米级1z 纳米制程来打造，其性能提升了85%。
报导指出，美光表示相较DDR4 记忆体，DDR5 标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。而其他的性能提升还包括电压从1.2V 降低到1.1V，同时每通道32/40 位（ECC）、汇流排效率提高、增加预取的Bank Group 数量等。
而美光现在出样的DDR5 记忆体是使用了最新的1z 纳米制程，大概是12 到14 纳米节点之间，ECC DIMM 规格，频率DDR5-4800，比现在的DDR4-3200 记忆体性能提升了87% 左右。不过，距离DDR5-6400 的效能还有点距离，后期还有持续提升的空间。
而对于新一代的DDR5 记忆体来说，平台的支持才是最大的问题。而因为目前还没有正式支持DDR5 记忆体的平台，因此市场上要购买到内建DDR5 记忆体的产品则还要等上一段时间。其中，AMD 预计将会在2021 年的Zen4 架构处理器上更换介面，开始支持DDR5 记忆体。而AMD 的竞争对手英特尔则是在14 纳米及10 纳米制程的处理器上，目前都没有明确规划支持DDR5 记忆体。根据英特尔官方路线图显示，预计要到2021 年的7 纳米制程处理器Sapphire Rapids 上才会开始支持DDR5，而且还是以伺服器处理器为主，消费级的处理器产品预计还要再晚一些时间。
另外，根据美光之前的说法，目前美光正在生产第2 代10 纳米级1y 纳米制程技术的12 Gb LPDDR4X 以及16 Gb DDR4 记忆体。而在未来客户针对DDR5 记忆体试样完成后，将会开始准备1z 纳米的产线来开始生产。不过，对于1z 纳米产业的生产，美光线在尚未决定是否导入EUV 极紫外光科设备来协助生产。目前，美光的竞争对手三星已经在1z 纳米制程中导入EUV 设备来协助生产。
国产存储芯片开始提速，两大喜讯接连传来，实现从0到1突破
全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。
但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？
存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。
根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。
国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？
第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线
对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。
可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。
昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。
基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。
第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片
相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。
DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。
DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。
然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。
若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。
以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。
另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。
不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。
其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。
海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。
对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？
