小芯片chiplets是半导体制造及封装领域最热门的技术之一，AMD、Intel已经推出了多款小芯片设计的芯片，现在国产国产也在这个领域快速追赶，长电科技今天宣布了自家的XDFOI封装技术开始量产，并为国际客户生产了4nm多芯片封装产品。
1月5日，长电科技午间宣布，公司XDFOIChiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm2的系统级封装。
长电科技表示，目前，长电科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。
同时，还可以在封装体背面进行金属沉积，在有效提高散热效率的同时，根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。
据了解，长电科技充分发挥这一工艺的技术优势，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。
长电科技表示能封测4nm的手机芯片了，这意味着什么？
国产芯片制造企业将进入生产高端芯片的领域，并不断地突破行业封锁。
在此之前，国外企业会生产高端芯片，从而得到国际大型科技制造公司的合作。反观我国芯片领域的发展历程，大多都逃不开核心技术被限制以及技术精度无法突破的情况。
最终，长电科技公司打破这一限制。该公司发布重要研究成果，并且骄傲的表示：公司可以封测四纳米端芯片，并且还涉及到射频芯片。此消息一出，同行业和对芯片有研究的人员信心倍增。
第一个意义：实现突破虽然我国正在大力培养集成电路人才，但是我国多家企业在完成芯片生产的过程中，还会面临着技术限制。国内企业在相关规定的影响下，无法继续使用国内公司已经发展成熟的技术，只能不断地进行摸索和自我尝试。四纳米芯片的封测技术并不是很容易被突破，而中国企业达到该目标后将标志着我国芯片生产行业的巨大突破。
第二个意义：或将标志着中国芯片生产进入新阶段并非所有公司都能封测高精度芯片，毕竟考验着公司的实力和技术。在此之前，长电科技公司就已经在世界范围内小有名气，并且逐步获得来自多个国家的订单。长电科技公司在四纳米芯片封测技术的突破，将更好的带动国内相关产业的发展与完善，或将标志着我国芯片生产进入全新阶段。
总的来说，实现技术突破，摆脱其他国家的技术垄断，才能够真正的使中国科技企业变大变强。经过多年的研究和不断尝试，相关企业取得突破性成果后，将会为行业工作人员带来专注于研发和突破的信心，有效增加技术突破的速度。
长电科技4纳米芯片是真的吗
是真的。
11月21日，长电科技在网上回答投资者时，表示其公司已经实现4nm工艺制程的手机芯片封装，在芯片和封装设计方面和客户展开合作，可帮助客户将2.5D和3D等各类先进封装集成到智能手机和平板电脑。
长电科技成立于1972年，是全球领先的集成电路制造和技术服务企业，拥有3200多项专利。长电科技在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，遍布全球的23000余名员工竭诚为国内外客户提供高质量服务。
长电科技实现4nm芯片封装
近日，长电 科技 在互动平台表示，公司已可以实现4nm手机芯片封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装，在先进封装技术方面再度实现突破。
去年7月，长电 科技 发布XDFOI多维先进封装技术，该技术能够为高密度异构集成提供全系列解决方案，也为此次突破4nm先进工艺制程封装技术打下基础。
据了解，诸如4nm等先进工艺制程芯片，在封测过程中往往面临连接、散热等挑战。因此，在先进制程芯片的封装中，多采用多维异构封装技术。长电 科技 介绍，相比于传统的芯片堆叠技术，多维异构封装的优势是可以通过导入中介层及其多维结合，来实现更高密度的芯片封装，同时多维异构封装能够通过中介层优化组合不同密度的布线和互联达到性能和成本的有效平衡。
此前，长电 科技 首席技术长李春兴曾公开表示：“摩尔定律前进趋缓，而信息技术的高速发展和数字化转型的加速普及激发了大量的多样化算力需求，因此，高效提高芯片内IO密度和算力密度的异构集成技术，被视为先进封装技术发展的新机遇。”
如今，单纯依靠尺寸缩小使得芯片在成本、功耗和性能方面获得提升，变得越来越难，后摩尔时代即将来临，而先进封装技术被视为后摩尔时代颠覆性技术之一。Yole数据显示，去年全球先进封装市场总营收达321亿美元，预计到2027年复合年均增长率将达到10%。
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作者丨沈丛
编辑丨徐恒
美编丨马利亚
监制丨连晓东
